Nodweddion tâp silicon hunan-ffugio:
Perfformiad inswleiddio trydanol
(1) Gwrthedd cyfrol: 1 × 10 13 Ω · cm o leiaf (ASTM D257);
(2) Mae'r foltedd inswleiddio fesul trwch mm yn cyrraedd 27KV, a all ddarparu amgylchedd insiwleiddio diogel ar gyfer y gwynt; Gellir cyflawni foltedd inswleiddio 0.5mm o 13.5KV, i fodloni'r gofynion inswleiddio;
(3) Mae prif gydran y cynnyrch yn cynnwys Si, a hyd yn oed ar ôl hylosgi, mae SiO2 yn cael ei ffurfio ac mae ganddi eiddo inswleiddio o hyd, a elwir hefyd yn dâp inswleiddio rwber silicon hunan-gludiog;
(4) ar gyfer rhai gofynion arbennig yr achlysur, mae yna gynhyrchion llwyr-fflam i ddarparu amgylchedd gweithredu llawn inswleiddio a diogel;
(5) Mae gan dâp hunan-gludiog rwber silicon hefyd berfformiad gwrth-corona ardderchog, perfformiad gwrth-arc a thrac gwrth-magnetig, gan ddarparu amgylchedd gweithio diogel.
